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二硅化鉿 Hafnium silicide(HfSi2)
產(chǎn)品名稱:二硅化鉿(HfSi2) 規(guī)格:0.8-10um(D50)   形貌:不規(guī)則 顏色:黑灰色  特點:純度高、粒度小、分布均勻、比表面積大和表面活性高 用途:金屬陶瓷、高溫抗氧化涂層、高溫結(jié)構(gòu)材料及航空、航天等領(lǐng)域
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產(chǎn)品詳情
二硅化鉿 Hafnium silicide(HfSi2)

產(chǎn)品名稱:二硅化鉿(HfSi2

規(guī)格:0.8-10um(D50)  

形貌:不規(guī)則

顏色:黑灰色 

特點:純度高、粒度小、分布均勻、比表面積大和表面活性高

用途:金屬陶瓷、高溫抗氧化涂層、高溫結(jié)構(gòu)材料及航空、航天等領(lǐng)域

中文名 硅化鉿

英文名 Hafnium silicide 

化學(xué)式: HfSi2

CAS:12401-56-8

EINECS: 235-640-1 

密度: 8,02 g/cm3 

熔點 :1680°C 

分子量 234.66 

應(yīng)用領(lǐng)域:

1. 核工業(yè)材料

應(yīng)用:核反應(yīng)堆控制棒、中子吸收材料、核廢料容器涂層。

依據(jù):鉿的中子吸收截面大(約105靶恩),是核反應(yīng)堆控制棒的理想材料,硅化鉿可提升高溫穩(wěn)定性,延長使用壽命。 耐輻射和抗腐蝕性能優(yōu)異,適合2. 高溫結(jié)構(gòu)材料與涂層

應(yīng)用:航空航天發(fā)動機葉片、超音速飛行器熱防護層、高溫爐內(nèi)襯。

依據(jù): 硅化鉿的熔點高達約2500°C,優(yōu)于硅化鋯,高溫抗氧化性更強(尤其在富氧或極端熱震環(huán)境中)。 作為涂層(如通過CVD/PVD技術(shù)),可保護鎳基超合金部件免受高溫氧化和腐蝕。

3. 半導(dǎo)體與微電子器件

應(yīng)用:高介電常數(shù)柵極材料(替代SiO?)、集成電路擴散阻擋層。

依據(jù):HfSi?與硅基底相容性好,可降低界面缺陷,在先進制程中作為高介電常數(shù)(high-κ)材料,提升晶體管性能。在銅互連工藝中,作為擴散阻擋層(類似TaN),防止銅原子遷移至硅基底。

4. 耐磨與耐腐蝕涂層

應(yīng)用:精密刀具涂層、化工設(shè)備防腐層、海洋環(huán)境抗侵蝕涂層。

依據(jù):

 高硬度(約15-20 GPa)和化學(xué)惰性,可抵抗酸、堿及鹽霧腐蝕。

 通過熱噴涂或氣相沉積技術(shù),延長工具和設(shè)備的服役壽命。

5. 熱電材料

應(yīng)用:高溫廢熱發(fā)電系統(tǒng)、深空探測器同位素電池。

依據(jù):

硅化鉿(如HfSi?)在一定溫度范圍內(nèi)具有較高的熱電優(yōu)值(ZT),可將熱能直接轉(zhuǎn)化為電能。

耐高溫特性使其適用于極端環(huán)境(如航天器尾氣余熱回收)。

6. 復(fù)合材料增強相

應(yīng)用:陶瓷基復(fù)合材料(CMC)、金屬基復(fù)合材料(MMC)。

依據(jù):

作為增強相加入碳化硅(SiC)或氧化鋁(Al?O?)基體中,可提高材料的斷裂韌性和高溫抗蠕變性能。

 用于航天器熱防護系統(tǒng)(TPS)或高超音速飛行器前緣部件。

7. 新興領(lǐng)域探索

量子材料:研究硅化鉿在拓撲絕緣體或超導(dǎo)材料中的潛在特性。

新能源:作為催化劑載體(如電解水制氫)或固態(tài)電池界面層。

光電子器件:探索其在紫外光探測器或光伏材料中的應(yīng)用。

包裝儲存:本品為充惰氣塑料袋包裝,密封保存于干燥、陰涼的環(huán)境中,不宜暴露空氣中,防受潮發(fā)生氧化團聚,影響分散性能和使用效果;包裝數(shù)量可以根據(jù)客戶要求提供分裝。

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